Ｖ耐圧パワーＭＯＳＦＥＴを発売東芝デバイスストレージＢＷ - 時事通信ニュース

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2023年06月14日16時16分

　【ビジネスワイヤ】東芝デバイス＆ストレージは、スーパージャンクション構造の最新世代プロセスを採用したＮチャネルパワーＭＯＳＦＥＴ「ＤＴＭＯＳＶＩシリーズ」に、６００Ｖ耐圧の新製品「ＴＫ０５５Ｕ６０Ｚ１」を追加し、出荷を開始したと発表した。同製品は、同耐圧の従来世代ＤＴＭＯＳＩＶ－Ｈシリーズと比べて、単位面積あたりのドレイン・ソース間オン抵抗を約１３％、性能指数の「ドレイン・ソース間オン抵抗×ゲート・ドレイン間電荷量」を約５２％低減した。これにより、低導通損失と低スイッチング損失を両立し、スイッチング電源の高効率化に貢献する。
　【注】この記事はビジネスワイヤ提供。原文はｗｗｗ．ｂｕｓｉｎｅｓｓｗｉｒｅ．ｃｏｍへ。

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