4G～8Gバイトの小容量フラッシュストレージ - EDN Japan

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» 2023年07月28日 09時00分 公開

スイスビットは、4G〜8Gバイトの小容量フラッシュストレージとして、組み込み向け153ボールBGAタイプの「EM-30」シリーズと、SDカード、microSDカードタイプの「S-56（u）」シリーズを発表した。

[EDN Japan]

　スイスビットは2023年7月、4G〜8Gバイトの小容量フラッシュストレージとして、組み込み向け153ボールBGAタイプの「EM-30」シリーズと、SDカード、microSDカードタイプの「S-56（u）」シリーズを発表した。

小容量フラッシュストレージ「EM-30」シリーズと「S-56（u）」シリーズ 出所：スイスビット

e.MMC-5.1準拠のEM-30シリーズ

　EM-30シリーズは、e.MMC-5.1仕様に準拠し、下位互換性を備える。シーケンシャル性能は、リードが最大280Mバイト/秒、ライトが120Mバイト/秒。ランダムリード性能は1万1000IOPS、ランダムライト性能は1万6000IOPS（Input Output Per Second）となる。動作温度範囲は−40〜＋85℃となっている。

組み込み向け小容量フラッシュストレージ「EM-30」シリーズ 出所：スイスビット

　S-56（u）シリーズは、リードが最大95Mバイト/秒、ライトが最大74Mバイト/秒。ランダムリード性能は2200IOPS、ランダムライト性能は1300IOPSとなる。

　オーバープロビジョニング設計やpSLCテクノロジーを採用し、書き込みを重視する用途でも高い耐久性を発揮する。書き込み耐久性は最大10万PEサイクルで、小容量のデータロギング用途でもSLC（シングルレベルセル）製品を上回る耐久性を備えた。

　両シリーズとも、3D TLC（トリプルレベルセル）NANDフラッシュメモリをベースとし、電断時のデータを保護する。産業用IoT（IIoT）やスマートシティーでの用途を想定していて、起動や小容量のデータロギング用途に最適化している。

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